Perbezaan utama antara PVD dan CVD ialah bahan salutan dalam PVD adalah dalam bentuk pepejal manakala dalam CVD ia dalam bentuk gas.
PVD dan CVD ialah teknik salutan, yang boleh kita gunakan untuk mendepositkan filem nipis pada pelbagai substrat. Salutan substrat adalah penting pada banyak keadaan. Salutan boleh meningkatkan kefungsian substrat; memperkenalkan fungsi baharu pada substrat, melindunginya daripada daya luaran yang berbahaya, dsb. jadi ini adalah teknik penting. Walaupun kedua-dua proses berkongsi metodologi yang sama, terdapat sedikit perbezaan antara PVD dan CVD; oleh itu, ia berguna dalam keadaan yang berbeza.
Apakah itu PVD?
PVD ialah pemendapan wap fizikal. Ia adalah terutamanya teknik salutan pengewapan. Proses ini melibatkan beberapa langkah. Walau bagaimanapun, kami melakukan keseluruhan proses di bawah keadaan vakum. Pertama, bahan prekursor pepejal dihujani dengan pancaran elektron, supaya ia akan memberikan atom bahan tersebut.
Rajah 01: Radas PVD
Kedua, atom-atom ini kemudiannya memasuki ruang tindak balas di mana substrat salutan wujud. Di sana, semasa mengangkut, atom boleh bertindak balas dengan gas lain untuk menghasilkan bahan salutan atau atom itu sendiri boleh menjadi bahan salutan. Akhirnya, mereka mendepositkan pada substrat membuat lapisan nipis. Salutan PVD berguna dalam mengurangkan geseran, atau untuk meningkatkan rintangan pengoksidaan bahan atau untuk meningkatkan kekerasan, dsb.
Apakah itu CVD?
CVD ialah pemendapan wap kimia. Ia adalah kaedah untuk memendapkan pepejal dan membentuk filem nipis daripada bahan fasa gas. Walaupun kaedah ini agak serupa dengan PVD, terdapat beberapa perbezaan antara PVD dan CVD. Selain itu, terdapat pelbagai jenis CVD seperti CVD laser, CVD fotokimia, CVD tekanan rendah, CVD organik logam, dll.
Dalam CVD, kami menyalut bahan pada bahan substrat. Untuk melakukan salutan ini, kita perlu menghantar bahan salutan ke dalam ruang tindak balas dalam bentuk wap pada suhu tertentu. Di sana, gas bertindak balas dengan substrat, atau ia terurai dan mendapan pada substrat. Oleh itu, dalam radas CVD, kita perlu mempunyai sistem penghantaran gas, ruang tindak balas, mekanisme pemuatan substrat dan pembekal tenaga.
Tambahan pula, tindak balas berlaku dalam vakum untuk memastikan tiada gas selain daripada gas bertindak balas. Lebih penting lagi, suhu substrat adalah penting untuk menentukan pemendapan; oleh itu, kita memerlukan cara untuk mengawal suhu dan tekanan di dalam radas.
Rajah 02: Radas CVD Berbantu Plasma
Akhir sekali, radas harus mempunyai cara untuk mengeluarkan sisa gas yang berlebihan. Kita perlu memilih bahan salutan yang tidak menentu. Begitu juga, ia mesti stabil; maka kita boleh menukarnya kepada fasa gas dan kemudian menyalut ke substrat. Hidrida seperti SiH4, GeH4, NH3, halida, karbonil logam, alkil logam, dan alkoksida logam adalah beberapa prekursor. Teknik CVD berguna dalam menghasilkan salutan, semikonduktor, komposit, mesin nano, gentian optik, pemangkin, dll.
Apakah Perbezaan Antara PVD dan CVD?
PVD dan CVD ialah teknik salutan. PVD bermaksud pemendapan wap fizikal manakala CVD bermaksud pemendapan wap kimia. Perbezaan utama antara PVD dan CVD ialah bahan salutan dalam PVD adalah dalam bentuk pepejal manakala dalam CVD ia dalam bentuk gas. Sebagai satu lagi perbezaan penting antara PVD dan CVD, kita boleh katakan bahawa dalam teknik PVD, atom bergerak dan memendap pada substrat manakala dalam teknik CVD, molekul gas akan bertindak balas dengan substrat.
Selain itu, terdapat perbezaan antara PVD dan CVD dalam suhu pemendapan juga. Itu dia; untuk PVD, ia memendap pada suhu yang agak rendah (sekitar 250°C~450°C) manakala, untuk CVD, ia memendap pada suhu yang agak tinggi dalam julat 450°C hingga 1050°C.
Ringkasan – PVD lwn CVD
PVD bermaksud pemendapan wap fizikal manakala CVD bermaksud pemendapan wap kimia. Kedua-duanya adalah teknik salutan. Perbezaan utama antara PVD dan CVD ialah bahan salutan dalam PVD adalah dalam bentuk pepejal manakala dalam CVD ia dalam bentuk gas.
