IGBT lwn Thyristor
Thyristor dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ialah dua jenis peranti semikonduktor dengan tiga terminal dan kedua-duanya digunakan untuk mengawal arus. Kedua-dua peranti mempunyai terminal kawalan yang dipanggil 'pintu', tetapi mempunyai prinsip operasi yang berbeza.
Thyristor
Thyristor diperbuat daripada empat lapisan semikonduktor berselang-seli (dalam bentuk P-N-P-N), oleh itu, terdiri daripada tiga simpang PN. Dalam analisis, ini dianggap sebagai pasangan transistor yang berganding rapat (satu PNP dan satu lagi dalam konfigurasi NPN). Lapisan semikonduktor jenis P dan N yang paling luar dipanggil anod dan katod masing-masing. Elektrod yang disambungkan ke lapisan semikonduktor jenis P dalam dikenali sebagai ‘pintu’.
Dalam operasi, thyristor bertindak mengalir apabila nadi diberikan ke pintu pagar. Ia mempunyai tiga mod operasi yang dikenali sebagai 'mod sekatan terbalik', 'mod sekatan ke hadapan' dan 'mod pengendalian ke hadapan'. Setelah get dicetuskan dengan nadi, thyristor pergi ke 'mod pengalir hadapan' dan terus mengalir sehingga arus hadapan menjadi kurang daripada 'arus penahan' ambang.
Thyristor ialah peranti kuasa dan selalunya ia digunakan dalam aplikasi yang melibatkan arus dan voltan tinggi. Aplikasi thyristor yang paling banyak digunakan ialah mengawal arus ulang alik.
Transistor Bipolar Gerbang Bertebat (IGBT)
IGBT ialah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai ‘Emitter’, ‘Collector’ dan ‘Gate’. Ia adalah sejenis transistor, yang boleh mengendalikan jumlah kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya cekap tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor simpang bipolar (BJT). Ia dipacu pintu seperti MOSFET dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian arus tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) mengendalikan kuasa kilowatt.
Secara ringkas:
Perbezaan Antara IGBT dan Thyristor
1. Tiga terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan get, manakala thyristor mempunyai terminal yang dikenali sebagai anod, katod dan get.
2. Gerbang thyristor hanya memerlukan nadi untuk bertukar kepada mod pengalir, manakala IGBT memerlukan bekalan voltan get yang berterusan.
3. IGBT ialah sejenis transistor dan thyristor dianggap sebagai pasangan transistor yang rapat dalam analisis.
4. IGBT hanya mempunyai satu persimpangan PN dan thyristor mempunyai tiga daripadanya.
5. Kedua-dua peranti digunakan dalam aplikasi kuasa tinggi.
