IGBT lwn MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ialah dua jenis transistor, dan kedua-duanya tergolong dalam kategori pacuan get. Kedua-dua peranti mempunyai struktur yang kelihatan serupa dengan jenis lapisan semikonduktor yang berbeza.
Transistor Kesan Medan Semikonduktor Oksida Logam (MOSFET)
MOSFET ialah sejenis Transistor Kesan Medan (FET), yang diperbuat daripada tiga terminal yang dikenali sebagai ‘Gate’, ‘Source’ dan ‘Drain’. Di sini, arus longkang dikawal oleh voltan pintu. Oleh itu, MOSFET ialah peranti terkawal voltan.
MOSFET tersedia dalam empat jenis berbeza, seperti saluran n atau saluran p, sama ada dalam mod pengurangan atau peningkatan. Longkang dan punca diperbuat daripada n jenis semikonduktor untuk n saluran MOSFET, dan begitu juga untuk peranti saluran p. Gate diperbuat daripada logam, dan dipisahkan dari sumber dan longkang menggunakan oksida logam. Penebat ini menyebabkan penggunaan kuasa yang rendah, dan ia merupakan kelebihan dalam MOSFET. Oleh itu, MOSFET digunakan dalam logik CMOS digital, di mana MOSFET saluran p dan n digunakan sebagai blok binaan untuk meminimumkan penggunaan kuasa.
Walaupun konsep MOSFET dicadangkan sangat awal (pada tahun 1925), ia telah dilaksanakan secara praktikal pada tahun 1959 di makmal Bell.
Transistor Bipolar Gerbang Bertebat (IGBT)
IGBT ialah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai ‘Emitter’, ‘Collector’ dan ‘Gate’. Ia adalah sejenis transistor, yang boleh mengendalikan jumlah kuasa yang lebih tinggi, dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya cekap tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor simpang bipolar (BJT). Ia dipacu pintu seperti MOSFET, dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian arus tinggi, dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) boleh mengendalikan kuasa kilowatt.
Perbezaan antara IGBT dan MOSFET
1. Walaupun kedua-dua IGBT dan MOSFET adalah peranti terkawal voltan, IGBT mempunyai ciri pengaliran seperti BJT.
2. Terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan get, manakala MOSFET diperbuat daripada get, punca dan longkang.
3. IGBT lebih baik dalam pengendalian kuasa daripada MOSFET
4. IGBT mempunyai persimpangan PN dan MOSFET tidak mempunyainya.
5. IGBT mempunyai penurunan voltan hadapan yang lebih rendah berbanding MOSFET
6. MOSFET mempunyai sejarah yang panjang berbanding IGBT
