BJT lwn IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ialah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengawal arus. Kedua-dua peranti mempunyai persimpangan PN dan berbeza dalam struktur peranti. Walaupun kedua-duanya adalah transistor, ia mempunyai perbezaan yang ketara dalam ciri.
BJT (Transistor Persimpangan Bipolar)
BJT ialah sejenis transistor yang terdiri daripada dua simpang PN (simpang yang dibuat dengan menyambungkan semikonduktor jenis p dan semikonduktor jenis n). Kedua-dua simpang ini dibentuk menggunakan penyambungan tiga keping semikonduktor mengikut susunan P-N-P atau N-P-N. Oleh itu dua jenis BJT, dikenali sebagai PNP dan NPN, tersedia.
Tiga elektrod disambungkan kepada tiga bahagian semikonduktor ini dan plumbum tengah dipanggil ‘base’. Dua simpang lain ialah 'pemancar' dan 'pengumpul'.
Dalam BJT, arus pemancar pengumpul besar (Ic) dikawal oleh arus pemancar asas kecil (IB), dan sifat ini dieksploitasi untuk mereka bentuk penguat atau suis. Oleh itu, ia boleh dianggap sebagai peranti yang dipacu semasa. BJT kebanyakannya digunakan dalam litar penguat.
IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Bertebat)
IGBT ialah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai ‘Emitter’, ‘Collector’ dan ‘Gate’. Ia adalah sejenis transistor, yang boleh mengendalikan jumlah kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya cekap tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor simpang bipolar (BJT). Ia dipacu pintu seperti MOSFET dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian arus tinggi, dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) mengendalikan kuasa kilowatt.
Perbezaan antara BJT dan IGBT
1. BJT ialah peranti didorong semasa, manakala IGBT didorong oleh voltan get
2. Terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan get, manakala BJT diperbuat daripada pemancar, pengumpul dan pangkalan.
3. IGBT lebih baik dalam pengendalian kuasa daripada BJT
4. IGBT boleh dianggap sebagai gabungan BJT dan FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT mempunyai struktur peranti yang kompleks berbanding BJT
6. BJT mempunyai sejarah yang panjang berbanding IGBT
