BJT lwn FET
Kedua-dua BJT (Bipolar Junction Transistor) dan FET (Field Effect Transistor) ialah dua jenis transistor. Transistor ialah peranti semikonduktor elektronik yang memberikan isyarat keluaran elektrik yang banyak berubah untuk perubahan kecil dalam isyarat input kecil. Disebabkan kualiti ini, peranti boleh digunakan sama ada sebagai penguat atau suis. Transistor dikeluarkan pada tahun 1950-an dan ia boleh dianggap sebagai salah satu ciptaan terpenting dalam abad ke-20 memandangkan sumbangannya kepada pembangunan IT. Pelbagai jenis seni bina untuk transistor telah diuji.
Transistor Simpang Bipolar (BJT)
BJT terdiri daripada dua simpang PN (simpang yang dibuat dengan menyambungkan semikonduktor jenis p dan semikonduktor jenis n). Kedua-dua simpang ini dibentuk menggunakan penyambungan tiga keping semikonduktor mengikut susunan P-N-P atau N-P-N. Terdapat dua jenis BJT yang dikenali sebagai PNP dan NPN.
Tiga elektrod disambungkan kepada tiga bahagian semikonduktor ini dan plumbum tengah dipanggil ‘base’. Dua simpang lain ialah 'pemancar' dan 'pengumpul'.
Dalam BJT, arus pemancar pengumpul (Ic) besar dikawal oleh arus pemancar asas (IB) kecil dan sifat ini dieksploitasi untuk mereka bentuk penguat atau suis. Di sana untuk itu boleh dianggap sebagai peranti didorong semasa. BJT kebanyakannya digunakan dalam litar penguat.
Transistor Kesan Medan (FET)
FET diperbuat daripada tiga terminal yang dikenali sebagai ‘Gate’, ‘Source’ dan ‘Drain’. Di sini arus longkang dikawal oleh voltan pintu. Oleh itu, FET ialah peranti terkawal voltan.
Bergantung pada jenis semikonduktor yang digunakan untuk sumber dan saliran (dalam FET kedua-duanya diperbuat daripada jenis semikonduktor yang sama), FET boleh menjadi saluran N atau peranti saluran P. Sumber untuk mengalirkan aliran arus dikawal dengan melaraskan lebar saluran dengan menggunakan voltan yang sesuai pada pintu. Terdapat juga dua cara untuk mengawal lebar saluran yang dikenali sebagai penyusutan dan peningkatan. Oleh itu, FET tersedia dalam empat jenis berbeza seperti saluran N atau saluran P sama ada dalam mod pengurangan atau peningkatan.
Terdapat banyak jenis FET seperti MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET) yang terhasil daripada pembangunan nanoteknologi adalah ahli terbaru keluarga FET.
Perbezaan antara BJT dan FET
1. BJT pada asasnya ialah peranti didorong semasa, walaupun FET dianggap sebagai peranti terkawal voltan.
2. Terminal BJT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan pangkalan, manakala FET diperbuat daripada get, punca dan longkang.
3. Dalam kebanyakan aplikasi baharu, FET digunakan daripada BJT.
4. BJT menggunakan kedua-dua elektron dan lubang untuk pengaliran, manakala FET hanya menggunakan satu daripadanya dan oleh itu dirujuk sebagai transistor unipolar.
5. FET adalah cekap kuasa daripada BJT.
