NPN lwn PNP Transistor
Transistor ialah 3 peranti semikonduktor terminal yang digunakan dalam elektronik. Berdasarkan operasi dalaman dan struktur transistor dibahagikan kepada dua kategori, Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Field Effect Transistor (FET). BJT adalah yang pertama dibangunkan pada 1947 oleh John Bardeen dan W alter Brattain di Bell Telephone Laboratories. PNP dan NPN hanyalah dua jenis transistor simpang bipolar (BJT).
Struktur BJT adalah sedemikian rupa sehingga lapisan nipis bahan semikonduktor jenis P atau jenis N diapit di antara dua lapisan semikonduktor jenis bertentangan. Lapisan diapit dan dua lapisan luar mewujudkan dua persimpangan semikonduktor, oleh itu dinamakan Transistor persimpangan Bipolar. BJT dengan bahan semikonduktor jenis p di bahagian tengah dan bahan jenis n di sisi dikenali sebagai transistor jenis NPN. Begitu juga, BJT dengan bahan jenis n di tengah dan bahan jenis p di sisi dikenali sebagai transistor PNP.
Lapisan tengah dipanggil tapak (B), manakala satu daripada lapisan luar dipanggil pengumpul (C), dan pemancar yang lain (E). Persimpangan dirujuk sebagai persimpangan asas - pemancar (B-E) dan persimpangan pengumpul asas (B-C). Pangkalan didop ringan, manakala pemancar didop sangat. Pengumpul mempunyai kepekatan doping yang agak rendah daripada pemancar.
Dalam operasi, secara amnya simpang BE dipincang ke hadapan dan simpang BC dipincang songsang dengan voltan yang lebih tinggi. Aliran cas adalah disebabkan oleh resapan pembawa merentasi kedua-dua persimpangan ini.
Lagi mengenai Transistor PNP
Transistor PNP dibina dengan bahan semikonduktor jenis-n dengan kepekatan doping yang agak rendah bagi kekotoran penderma. Pemancar didopkan pada kepekatan kekotoran akseptor yang lebih tinggi, dan pengumpul diberi tahap doping yang lebih rendah daripada pemancar.
Dalam operasi, simpang BE dipincang ke hadapan dengan menggunakan potensi yang lebih rendah pada tapak, dan simpang BC dipincang songsang menggunakan voltan yang jauh lebih rendah kepada pengumpul. Dalam konfigurasi ini, transistor PNP boleh beroperasi sebagai suis atau penguat.
Pembawa cas majoriti transistor PNP, lubang, mempunyai mobiliti yang agak rendah. Ini menghasilkan kadar tindak balas frekuensi yang lebih rendah dan pengehadan aliran semasa.
Lagi mengenai Transistor NPN
Transistor jenis NPN dibina pada bahan semikonduktor jenis p dengan tahap doping yang agak rendah. Pemancar didopkan dengan kekotoran penderma pada tahap doping yang jauh lebih tinggi, dan pengumpul didopkan dengan tahap yang lebih rendah daripada pemancar.
Konfigurasi pincang transistor NPN adalah bertentangan dengan transistor PNP. Voltan diterbalikkan.
Pembawa cas majoriti jenis NPN ialah elektron, yang mempunyai mobiliti yang lebih tinggi daripada lubang. Oleh itu, masa tindak balas transistor jenis NPN adalah agak cepat daripada jenis PNP. Oleh itu, transistor jenis NPN adalah yang paling biasa digunakan dalam peranti berkaitan frekuensi tinggi dan kemudahan pembuatannya berbanding PNP menjadikannya kebanyakannya digunakan daripada kedua-dua jenis.
Apakah perbezaan antara Transistor NPN dan PNP?
